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一种减少二极管选通阵列寄生漏电的偏置方法

摘要

本发明涉及一种减少二极管选通阵列寄生漏电的偏置方法,所述二极管阵列包括十字交叉的至少两根位线和至少两根字线,所述位线和字线的交叉点处设置有二极管,对多根相邻位线施加选通信号,其他位线接地,将选通单元所在的字线接地,并对其他字线施加一个大于操作电压且小于二极管反向击穿电压的电压Vp,其中,所述选通单元位于同一根字线上。本发明能够减少阵列寄生漏电,同时提高存储单元可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN113539311A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202110724690.5

  • 申请日2021-06-29

  • 分类号G11C7/10(20060101);G11C7/12(20060101);G11C8/08(20060101);

  • 代理机构31233 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人钱文斌

  • 地址 200050 上海市长宁区长宁路865号

  • 入库时间 2023-06-19 12:56:12

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