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公开/公告号CN113539311A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-22
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
申请/专利号CN202110724690.5
发明设计人 李阳;蔡道林;宋志棠;崔紫荆;李程兴;
申请日2021-06-29
分类号G11C7/10(20060101);G11C7/12(20060101);G11C8/08(20060101);
代理机构31233 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人钱文斌
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2023-06-19 12:56:12
机译: 一种制造半导体器件的方法来避免寄生晶体管的影响并减少电池之间的泄漏电流
机译: 用于减少浮动栅极和数据线之间的寄生电容的阵列基板,一种制造该基板的方法以及一种包括该基板的LCD
机译: 一种减少反向漏电流的沟槽肖特基二极管的制造方法
机译:SCCMOS电源开关的自动栅极偏置可最大程度地减少漏电流并降低漏电流变化
机译:漏电控制晶体管(LECTRA):一种用于低功耗VLSI设计的减少漏电的新颖方法
机译:减少高k互补金属氧化物半导体电路漏电流的最佳偏置偏置约束
机译:一种用于激光选通成像的新型光学选通方法
机译:单端半导体二极管混频器:一种数学模型,其中包括电路电阻,二极管电容,直流偏置和电路滤波器的影响
机译:基于单光子计数光电二极管时间选通方案
机译:用于最小低反向偏置漏电流的InSb光电二极管的最佳浓度
机译:一种紧凑型HF天线阵列,采用反应终止寄生元件进行图形控制。