浅沟槽隔离结构及其形成方法、CMOS图像传感器

摘要

本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其形成方法、CMOS图像传感器；形成方法包括：提供衬底；刻蚀部分厚度的衬底形成沟槽；从沟槽处向衬底中实施氧离子注入，氧离子与沟槽下方及周侧的衬底发生反应生成隔离氧化层；形成隔离层，隔离层填充沟槽。本发明先形成隔离氧化层（靠下），再形成隔离层（靠上），通过垂直于衬底方向上的隔离氧化层和隔离层共同起隔离作用，隔离氧化层形成于衬底中，如此沟槽可以做的更浅，以尽可能减小沟槽表面，从而减少刻蚀沟槽过程中等离子体轰击导致的沟槽表面损伤。氧离子注入形成的隔离氧化层与衬底之间的界面缺陷减少，表面暗电流降低，提高了STI结构制成的器件性能，改善了CMOS图像传感器的噪声现象。