公开/公告号CN113540072A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-22
原文格式PDF
申请/专利权人 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司;
申请/专利号CN202110295454.6
申请日2021-03-19
分类号H01L27/02(20060101);H01L23/60(20060101);
代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟;王锦阳
地址 新加坡新加坡城
入库时间 2023-06-19 12:56:12
机译: 静电放电保护元件和静电放电保护装置在电路中的使用方法,静电放电保护装置的制造方法
机译: 能够提高静电放电容限的静电放电保护装置,其制造方法以及包括该静电放电保护装置的电气/电子设备
机译: 半导体集成电路的静电放电保护装置,使用该制造方法的静电放电保护电路以及静电放电保护装置