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公开/公告号CN113540283A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-22
原文格式PDF
申请/专利权人 西安理工大学;
申请/专利号CN202110678184.7
发明设计人 贾婉丽;邹旭;曹跃龙;王馨梅;张翔;
申请日2021-06-18
分类号H01L31/112(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构61214 西安弘理专利事务所;
代理人曾庆喜
地址 710048 陕西省西安市碑林区金花南路5号
入库时间 2023-06-19 12:56:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-01-24
授权
发明专利权授予
机译: 通过灰阶离子注入离子控制III型氮化物中的二维二维电子气孔
机译: 具有二维电子气体的电极和二维电子气体的制造方法
机译: 二维电子气体的电极及二维电子气体的制造方法
机译:液氦上非简并二维电子气中回旋共振谐波的光电导响应
机译:氧化物基二维电子气中的静电场及其光电导状态
机译:HgCdTe / HgTe量子阱中二维电子气的太赫兹光电导率
机译:二维电子气层内的紧凑型太赫兹表面等离子开关
机译:二维傅里叶变换光谱探测二维电子气体的相干响应。
机译:更正:具有二维点阵的常规二维电子气中的人工规范场和拓扑相
机译:回旋谐振谐振谐波中的光电导率响应 液氦上的非简并二维电子气
机译:光电导开关中灯丝传播的自洽二维模拟