WO3纳米片及其制备方法和气敏传感器

摘要

本发明涉及气敏材料领域，公开了一种WO3纳米片及其制备方法和气敏传感器。本发明的WO3纳米片的制备方法包括：1)在碳原子数为6‑10的有机烷烃溶剂存在下，使碳原子数为7‑10的有机胺和钨酸进行第一接触反应，得到第一接触反应后的产物；2)使步骤1)得到的第一接触反应后的产物与无机酸进行第二接触反应，得到H2WO4纳米片；3)将所述H2WO4纳米片进行煅烧，得到WO3纳米片。该方法制备得到的WO3纳米片用作气敏材料时，其抗湿性能十分优异，并且该方法简单，能够实现宏量制备WO3纳米片。