一种提高沟槽MOS结构肖特基二极管性能的工艺方法

摘要

本发明涉及半导体领域。一种提高沟槽MOS结构肖特基二极管性能的工艺方法，步骤一，取完成沟槽刻蚀的硅基片，湿法工艺去除硅基片正面硅表面二氧化硅层及其他介质层；步骤二，采用LPCVD工艺淀积生长一薄层掺氧多晶硅层；步骤三，采用LPCVD工艺淀积一薄层氮化硅层；步骤四，采用LPCVD工艺淀积一层无掺杂多晶硅层；步骤五，采用炉管热氧化工艺，对淀积的多晶硅层进行氧化，反应形成二氧化硅；步骤六，采用CVD工艺淀积原位掺杂的多晶硅，最终获得了器件所需的硅沟槽MOS结构。本发明提高了介质层的厚度均匀性，降低了介质层生长过程中产生的缺陷，降低了介质层内电荷密度，器件性能得到提升。