大板级扇出基板预埋芯片的低厚度封装结构的制备方法

摘要

本发明公开一种大板级扇出基板预埋芯片的低厚度封装结构的制备方法，包括：采用塑封层将ASIC芯片和电容封装于载板的一面；拆除载板，在塑封层的第一面制作第一介电层，将电阻粘贴在第一介电层上；对塑封层和第一介电层进行开孔处理，并在第一介电层上制作第一重布线层，在塑封层的第二面制作第二重布线层；在第一重布线层上制作第二介电层；对第二介电层进行开孔处理，并在第二介电层上制作第三重布线层；将传感器芯片置于第二重布线层上并与其电性连接。本发明将ASIC芯片通过扇出技术封装成基板，减小封装结构的厚度，防止芯片泄露，同时将电容、电阻埋入基板内，进一步减小封装结构厚度，提高整个封装结构的紧凑性。