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MOFs衍生的中空多面体Co3S4及制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种MOFs衍生的中空多面体Co3S4,所述中空多面体Co3S4为ZIF‑67衍生的微‑介孔纳米中空多面体,中空多面体Co3S4尺寸为200nm~1000nm,壳层厚度为5nm~20nm。本发明还公开了一种MOFs衍生的中空多面体Co3S4的方法,具体按照以下步骤实施:步骤1,采用简单室温沉淀法合成ZIF‑67纳米多面体;步骤2,以步骤1得到的ZIF‑67纳米多面体作为模板和钴源加入硫代乙酰胺,之后采用溶剂热法反应制得前驱体;ZIF‑67纳米多面体和硫代乙酰胺的摩尔比为1:1~5;步骤3,将步骤2得到的前驱体放在惰性气氛中热处理,即得到中空多面体Co3S4。

著录项

  • 公开/公告号CN113501552A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安理工大学;

    申请/专利号CN202110866496.0

  • 发明设计人 杨蓉;樊潮江;黄勇;杨云;燕映霖;

    申请日2021-07-29

  • 分类号C01G51/00(20060101);B82Y40/00(20110101);H01M4/58(20100101);H01M4/62(20060101);H01M10/052(20100101);

  • 代理机构61214 西安弘理专利事务所;

  • 代理人曾庆喜

  • 地址 710048 陕西省西安市碑林区金花南路5号

  • 入库时间 2023-06-19 12:53:05

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