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一种Mn2+掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜及其制备方法

摘要

本发明涉及一种Mn2+掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜及其制备方法,制备方法包括:首先配制油酸、胺基/氨基配体、CsX、PbY2、MnZ2的混合溶液,得到前驱体溶液;之后将前驱体溶液与甲苯混合,得到钙钛矿量子点溶液;最后将薄膜衬底置于钙钛矿量子点溶液中并进行离心涂覆,干燥后即得到上述钙钛矿量子点薄膜。与现有技术相比,本发明采用室温一步离心涂敷制膜技术,成功制备出一种Mn2+掺杂CsPbX3(X=Cl,Br)钙钛矿量子点薄膜材料,该方法不仅使薄膜材料在很大程度上维持了量子点的发光性能,还具有操作简单、成本低等优点,且所制备的钙钛矿量子点薄膜材料结晶质量高、双光子发射强度大,使得该材料在照明、显示等光电器件领域具有较大的应用潜力。

著录项

  • 公开/公告号CN113501993A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海应用技术大学;

    申请/专利号CN202110793571.5

  • 申请日2021-07-14

  • 分类号C08J7/06(20060101);C08L67/02(20060101);C08L23/06(20060101);C09D1/00(20060101);C09D5/22(20060101);C09K11/02(20060101);C09K11/66(20060101);B82Y40/00(20110101);B82Y30/00(20110101);B82Y20/00(20110101);

  • 代理机构31225 上海科盛知识产权代理有限公司;

  • 代理人顾艳哲

  • 地址 201418 上海市奉贤区海泉路100号

  • 入库时间 2023-06-19 12:53:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-31

    授权

    发明专利权授予

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