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一种基于磁控溅射的GaAs太阳能电池用减反射膜及其制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种基于磁控溅射的GaAs太阳能电池用减反射膜及其制备方法与应用。所述减反射膜包括ZnO层及SiO2层,所述ZnO层及SiO2层交替堆叠,所述ZnO层及SiO2层的光学厚度分别为各层对应材料参考波长的0.1~0.25倍;所述ZnO层的折射率为1.9~2.1,所述SiO2层的折射率为1.4~1.6。本发明制备的减反射膜在宽光谱范围内与太阳光谱有较好的匹配性(300~1400nm范围内最优平均反射率低至7.05%),减反射效果较常规的减反射膜体系有所提升。

著录项

  • 公开/公告号CN113502451A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南理工大学;

    申请/专利号CN202110681570.1

  • 申请日2021-06-18

  • 分类号C23C14/06(20060101);C23C14/08(20060101);C23C14/10(20060101);C23C14/35(20060101);H01L31/0216(20140101);

  • 代理机构44102 广州粤高专利商标代理有限公司;

  • 代理人何淑珍;江裕强

  • 地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号

  • 入库时间 2023-06-19 12:53:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-10-25

    授权

    发明专利权授予

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