解决超级结工艺打标区域高台阶差的方法

摘要

本发明涉及解决超级结工艺打标区域高台阶差的方法，涉及半导体集成电路技术，包括在超级结深沟槽打标区域进行扫描曝光以及晶片边缘曝光两种曝光工艺，由于在超级结深沟槽打标区域采用scanner和WEE联合曝光，打标位置光刻胶充分曝光，显影后光刻胶完整保留下来，因此在深沟槽刻蚀后不会产生高台阶，打标识别和减薄撕膜也不会出现异常。