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公开/公告号CN113508016A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-15
原文格式PDF
申请/专利权人 电化株式会社;
申请/专利号CN202080011345.0
发明设计人 汤浅晃正;江嶋善幸;渡边龙平;小桥圣治;西村浩二;
申请日2020-01-30
分类号B28B11/14(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人李国卿
地址 日本东京都
入库时间 2023-06-19 12:53:05
机译: 制造单板型绿片的方法,制造氮化硅烧结体的方法,单板型绿片和氮化硅烧结体
机译: 氮化硅质烧结体,其特征在于,指定氮化硅质烧结体及半导体制造装置用部件。
机译: 氮化硅烧结体,工具的制造方法以及滑动部件以及使用该氮化硅烧结体的氮化硅烧结体
机译:通过部分锻造烧结方法制造轻质,高强度,低弹性的氮化硅多孔体
机译:通过部分锻造烧结方法制造轻质,高强度,低模量的氮化硅多孔,通过部分锻造烧结法
机译:火花等离子体烧结制备氮化硅复合材料中石墨烯纳米片的高取向度
机译:使用低等级Si Powdee制造的高导热率和高强度烧结反应键合氮化硅氮化硅陶瓷
机译:用掺杂的烧结添加剂对等离子体反应的纳米半结晶氮化硅陶瓷进行无压烧结。
机译:放电等离子体烧结氮化硅陶瓷的微观结构
机译:微波和常规加热制造的烧结和烧结反应键合氮化硅性能的比较
机译:生产金属氮化物烧结体和生成的氮化硅和氮化铝烧结体的方法