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单张生片的制造方法、氮化硅质烧结体的制造方法、单张生片及氮化硅质烧结体

摘要

本发明的单张生片的制造方法包括下述工序:搬运工序,将包含陶瓷而构成的带状生片沿其长度方向进行搬运;及照射工序,通过对被搬运的上述带状生片照射激光来切割上述带状生片而得到单张生片。

著录项

  • 公开/公告号CN113508016A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电化株式会社;

    申请/专利号CN202080011345.0

  • 申请日2020-01-30

  • 分类号B28B11/14(20060101);

  • 代理机构11256 北京市金杜律师事务所;

  • 代理人李国卿

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-06-19 12:53:05

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