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测量EUV掩模的相位的装置和方法及制造掩模的方法

摘要

本公开提供了用于测量极紫外(EUV)掩模的相位的装置和方法及制造掩模的方法。用于测量EUV掩模的相位的装置包括:EUV光源,配置为产生并输出EUV光;至少一个反射镜,配置为反射EUV光作为入射在要测量的EUV掩模上的被反射的EUV光;掩模台,EUV掩模布置在该掩模台上;检测器,配置为接收从EUV掩模反射的EUV光,以获得二维(2D)图像,并测量EUV掩模的反射率和衍射效率;以及处理器,配置为通过使用EUV掩模的反射率和衍射效率来确定EUV掩模的相位。

著录项

  • 公开/公告号CN113494966A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN202110238755.5

  • 发明设计人 朴钟主;李来源;韩学承;金成洙;

    申请日2021-03-04

  • 分类号G01J9/00(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人王新华

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-06-19 12:51:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-01-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01J 9/00 专利申请号:2021102387555 申请日:20210304

    实质审查的生效

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