基于石墨烯/氮化硼异质结构的太赫兹调制器及制备方法

摘要

本发明提供了一种基于石墨烯/氮化硼异质结构的太赫兹调制器及制备方法，太赫兹波调制器包括从下往上依次设置的p型硅衬底、氮化硼薄膜、石墨烯薄膜以及红外激光束，与常规石墨烯薄膜修饰的太赫兹调制器相比，氮化硼薄膜可以极大增加石墨烯薄膜的载流子迁移率，石墨烯/氮化硼异质结构与单层石墨烯修饰硅结构相比，具有远高于石墨烯修饰硅的载流子迁移率，在相同功率激光的照射下，以氮化硼作为绝缘层的太赫兹调制器内部载流子迁移率更高，通过氮化硼与石墨烯两者的共同作用，在红外光激光激励下提高太赫兹波的光调制深度和速度，对于太赫兹波的调制能力更强。