基于石墨烯/掺杂硅复合双层结构的光控太赫兹调制器

摘要

本发明属于太赫兹波应用技术领域，提供一种基于石墨烯/掺杂硅复合双层结构的光控太赫兹调制器，用以同时获得大的调制速率和调制深度；该光控太赫兹波调制器，包括从下往上依次设置的衬底1、绝缘层2、金属掺杂Si半导体层3、石墨烯薄膜4以及泵浦激光束5；其特征在于，所述金属掺杂Si半导体层3与所述石墨烯薄膜4组成石墨烯/掺杂Si复合双层结构。本发明光控太赫兹波调制器具有高速、宽带、大幅度调制以及室温工作的特点，能够工作在0.2‑2.6THz，调制频率达到10MHz，最大调制深度达到50％以上；即能够用于太赫兹高速无线通信系统，也能够用在太赫兹成像、探测多个应用系统中作为高速宽带太赫兹波调控器件。