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半导体存储器件以及半导体存储器件的修复方法

摘要

本公开提供一种半导体存储器件以及半导体存储器件的修复方法。半导体存储器件包括存储器和被配置为控制存储器的存储器控制器。存储器控制器包括正常操作控制部分和修复部分。正常操作控制部分被配置为控制存储器的正常操作,并且包括在控制正常操作时使用的多个储存空间。修复部分被配置为控制存储器的修复操作,并且将在控制修复操作时检测到的故障地址储存到包括在正常操作控制部分中的多个储存空间中。

著录项

  • 公开/公告号CN113496757A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 爱思开海力士有限公司;

    申请/专利号CN202110156395.4

  • 发明设计人 林在日;禹洙海;

    申请日2021-02-04

  • 分类号G11C29/44(20060101);

  • 代理机构11363 北京弘权知识产权代理有限公司;

  • 代理人许伟群;郭放

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-06-19 12:51:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-07-04

    发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):G11C29/44 专利申请号:2021101563954 申请公布日:20211012

    发明专利申请公布后的撤回

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