首页> 中国专利> 半导体存储器件和操作半导体存储器件的方法

半导体存储器件和操作半导体存储器件的方法

摘要

本公开涉及一种半导体存储器件和操作半导体存储器件的方法。所述半导体存储器件包括存储单元阵列、纠错码(ECC)引擎、刷新控制电路和控制逻辑电路。所述存储单元阵列包括存储单元行。所述刷新控制电路对所述存储单元行执行刷新操作。所述控制逻辑电路控制所述ECC引擎,使得所述ECC引擎在读取操作期间通过对至少一个第一存储单元行中的子页面执行ECC解码来生成错误生成信号。所述控制逻辑电路将所述第一存储单元行的错误发生计数与阈值进行比较,并基于所述比较向所述刷新控制电路提供所述第一存储单元行的第一地址作为错误地址。所述刷新控制电路增加在刷新时段期间在所述第一存储单元行中执行的刷新操作的次数。

著录项

  • 公开/公告号CN112837725A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN202010915165.7

  • 发明设计人 郑允敬;秋喆焕;

    申请日2020-09-03

  • 分类号G11C11/406(20060101);G11C29/42(20060101);

  • 代理机构11330 北京市立方律师事务所;

  • 代理人李娜;王占杰

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-06-19 11:05:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/406 专利申请号:2020109151657 申请日:20200903

    实质审查的生效

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号