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公开/公告号CN111179999A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-05-19
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201910755942.3
发明设计人 车相彦;金南昇;孙教民;
申请日2019-08-15
分类号
代理机构北京市立方律师事务所;
代理人李娜
地址 韩国京畿道
入库时间 2023-12-17 11:36:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-19
公开
机译: 半导体存储器件,包括半导体存储器件的存储系统以及半导体存储器件的操作方法
机译: 半导体存储器件,操作该半导体存储器件的方法以及包括该半导体存储器件的存储系统
机译: 半导体存储系统,半导体存储器件以及操作该半导体存储器件的方法
机译:具有包裹式控制栅结构的新型2位/单元金属氧化物-氮化物-氧化物-半导体半导体存储器件可实现源侧热电子注入
机译:用于非晶氧化物半导体薄膜晶体管存储器件的优异原子层沉积技术
机译:具有P-Algan半导体底电极的基于AL2O3的电阻开关存储器件中观察到的自整流电阻切换行为
机译:基于并五苯半导体和聚(甲基丙烯酸甲酯)/石墨烯量子点复合陷阱层的非易失性有机晶体管存储器件
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机译:使用新型ZnO牺牲模板生长水热方法在基底上直接形成金纳米颗粒及其在有机存储器件中的性能
机译:通过粘合光刻技术在柔性基板上制造的基于金属纳米间隙的无半导体非易失性电阻式开关存储器件
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