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碳化硅栅极氧化层迁移率改善的制作方法

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摘要

本发明公开了一种碳化硅栅极氧化层迁移率改善的制作方法，其特征在于，包括：提供碳化硅基板；形成沟槽结构于碳化硅基板之中；形成单晶硅层于沟槽结构之上；进行热氧化以在该单晶硅层之上形成顶部氧化层、底部氧化层与侧壁氧化层；其中热氧化过程的实施温度小于1000℃。

公开/公告号CN113496882A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-12

原文格式PDF
申请/专利权人成都蓉矽半导体有限公司;
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申请/专利号CN202010251291.7
发明设计人戴茂州;高巍;廖运健;
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申请日2020-04-01
分类号H01L21/28(20060101);H01L21/02(20060101);H01L21/04(20060101);H01L29/423(20060101);
代理机构11017 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人韩登营
地址 610000 四川省成都市高新区天府大道中段1366号2栋9楼12-18号
入库时间 2023-06-19 12:51:29

1. 碳化硅栅极氧化层迁移率改善的制作方法 [P] . 中国专利： CN113496882A . 2021-10-12
2. 三维计算机闪存设备的栅极氧化层的制作方法及栅极结构 [P] . 中国专利： CN107579068A . 2018-01-12
3. Extendible process for improved top oxide layer for DRAM array and the gate interconnects while providing self-aligned gate contacts [P] . 美国专利： US2004256651A1 . 2004-12-23

机译：可扩展工艺，用于改善DRAM阵列和栅极互连的顶部氧化层，同时提供自对准栅极触点
4. Extendible process for improved top oxide layer for DRAM array and the gate interconnects while providing self-aligned gate contacts [P] . 美国专利： US6794242B1 . 2004-09-21

机译：可扩展工艺，用于改善DRAM阵列和栅极互连的顶部氧化层，同时提供自对准栅极触点
5. METHOD FOR FORMING FIELD OXIDE LAYER OF SEMICONDUCTOR DEVICE TO IMPROVE CHARACTERISTIC OF GATE ELECTRODE AND REDUCE LEAKAGE CURRENT [P] . 韩国专利： KR100440266B1 . 2004-09-18

机译：形成半导体器件场氧化层以改善栅极电极特性并降低漏电流的方法