光发射和/或光接收二极管阵列器件

摘要

公开了光发射和/或光接收二极管(102)阵列器件(100)，该阵列器件包括：‑根据不同类型掺杂的第一半导体层(106)和第二半导体层(108)的堆叠；‑多个第一沟道(112)，第一沟道穿过堆叠，并围绕堆叠的其中形成有多个二极管的区域；‑多个介电部(114)，介电部布置在第一沟道中，并在第二层的整个厚度和第一层的厚度的第一部分上覆盖所述区域的侧翼面；‑布置在第一沟道中的第一导电部(116)，第一导电部在第一层的厚度的第二部分上覆盖所述区域的侧翼面，并形成所述区域的二极管的第一电极；‑至少一个第二沟道(118)，第二沟道部分地穿过第一层，并将第一层的部分与所述区域的二极管分隔开。