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InGaZnO4单相纳米粉体的制备方法

摘要

InGaZnO4单相纳米粉体的制备方法,包括:摩尔比为1:1:1的金属铟颗粒、金属镓颗粒和金属锌颗粒放入容器中,将质量浓度为50~60%的硝酸溶液分次加入容器中,得到离子浓度为0.1~0.6mol/L的金属离子溶液;向金属离子溶液中滴加沉淀剂,溶液pH小于4时,搅拌速度控制在400~450rpm之间;溶液pH在4~4.5之间时,停止滴加沉淀剂,保持反应0.5~1小时;溶液pH在5.5~6之间时,停止滴加沉淀剂,保持反应0.5~1h;pH大于6时,搅拌速度控制在450~500rpm之间;pH大于7.5~8.8时,停止滴加沉淀剂,持续搅拌1~2h,然后在室温下老化18~24h;洗涤干燥得到粉体前驱体;将粉体前驱体两次煅烧,即得InGaZnO4单相纳米粉体。

著录项

  • 公开/公告号CN113479928A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 郑州大学;

    申请/专利号CN202110804915.8

  • 申请日2021-07-16

  • 分类号C01G15/00(20060101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构16015 北京卫智易创专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人朱春野

  • 地址 450001 河南省郑州市高新技术开发区科学大道100号

  • 入库时间 2023-06-19 12:49:58

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