公开/公告号CN113488389A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-08
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN202110633952.7
申请日2021-06-07
分类号H01L21/336(20060101);H01L21/28(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/78(20060101);
代理机构61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘长春
地址 710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
入库时间 2023-06-19 12:49:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-11
授权
发明专利权授予
机译: 具有沟槽栅VDMOSFET的半导体器件及其制造方法
机译: 具有在沟槽中形成相反掺杂的半导体区域的超结半导体器件
机译: 超结-沟槽中具有相反掺杂的半导体区域的半导体器件及其制造方法