用于发射辐射的半导体器件的生长结构和发射辐射的半导体器件

摘要

提出一种用于发射辐射的半导体器件(10)的生长结构(1)，其包括：‑包含基于砷化物化合物半导体的材料的半导体衬底(2)，‑设置在所述半导体衬底(2)上且包含基于砷化物化合物半导体的材料的缓冲结构(3)，以及‑具有至少一个n掺杂层(5)的缓冲层(4)，其中所述n掺杂层(5)包含氧。此外，提出一种具有生长结构(1)的发射辐射的半导体器件(10)。