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用于升华法生长氮化铝晶体的复合型坩埚装置

摘要

用于升华法生长氮化铝晶体的复合型坩埚装置。本发明公开了一种生长氮化铝晶体的坩埚装置,包括保温层,其内具有空腔,所述保温层上设置有与所述空腔连通的开口;坩埚,其设置在所述空腔内,坩埚体采用高纯度金属钨材料,坩埚盖采用碳化钽材料。本发明装置能够在保持较高晶体生长速率的前提下,降低晶体的径向温差,从而实现氮化铝晶体的快速稳定生长。

著录项

  • 公开/公告号CN113463188A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉大学;

    申请/专利号CN202110701980.8

  • 申请日2021-06-24

  • 分类号C30B23/00(20060101);C30B29/40(20060101);

  • 代理机构42222 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人肖明洲

  • 地址 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学

  • 入库时间 2023-06-19 12:48:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-19

    授权

    发明专利权授予

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