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公开/公告号CN113463188A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-01
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉大学;
申请/专利号CN202110701980.8
发明设计人 于越;高冰;刘博涛;唐霞;韩鹏飞;宋伯韬;
申请日2021-06-24
分类号C30B23/00(20060101);C30B29/40(20060101);
代理机构42222 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人肖明洲
地址 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
入库时间 2023-06-19 12:48:23
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-19
授权
发明专利权授予
机译: 回收沉淀液的氢氧化铝晶体的方法,获得氢氧化铝晶体的方法,乳化的晶体生长改性剂,拜耳法用于生产氢氧化铝晶体的方法。
机译: 用于SiC晶体升华生长的石墨坩埚
机译: 用于通过直接凝固从导电熔体中生长晶体的装置,其包括包含熔体的坩埚,该坩埚以多坩埚的方式布置在生长室内,并围绕室-假想中心轴平行
机译:坩埚对通过升华生长的自种氮化铝晶体质量的影响
机译:坩埚对升华生长的自种氮化铝晶体质量的影响
机译:通过升华夹层法生长散装氮化铝和氮化镓晶体
机译:坩埚和绝缘毡设计的升华法生长SiC晶体
机译:氮化铝-碳化硅合金,氮化铝和氮化dium块状晶体的升华生长以及氮化铝的热氧化。
机译:基于NH4Cl在In中升华的化学气相沉积法在Si(111)上低温生长In2O3和InN纳米晶体。
机译:通过升华铝氮化铝晶体生长的各种坩埚材料的耐久性
机译:生长温度与升华法生长siC晶体结构的关系