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机译:通过升华铝氮化铝晶体生长的各种坩埚材料的耐久性
B. Liu; J.H. Edgar; Z. Gu; D. Zhuang; B. Raghothamachar; M. Dudley; A. Sarua; Martin Kuball; H. M. Meyer III;
机译:用于生长氮化铝晶体的坩埚材料
机译:升华HPBN坩埚中氮化铝单晶的自由成核
机译:模拟不同衬底材料对通过升华生长的氮化铝晶体中残余热应力的影响
机译:SiC(0001)基材上氮化铝 - 碳化硅合金晶体的升华生长
机译:氮化铝-碳化硅合金,氮化铝和氮化dium块状晶体的升华生长以及氮化铝的热氧化。
机译:氮化铝的螺旋生长:从纳米结构到单晶的生长习性的新见解
机译:升华晶体中原料的热力学分析与纯化氮化铝的生长
机译:梯度冷冻砷化镓晶体生长中坩埚材料的研究
机译:制备氮化铝体单晶,包括在坩埚排列的晶体生长区域中放置单晶氮化铝籽晶,并在晶体生长区域中产生氮化铝生长气相
机译:一种氮化铝单晶升华生长的方法。
机译:制备模板,该模板包括衬底和由例如铝制成的晶体层。氮化铝包括例如在晶体生长温度下在衬底上执行材料的晶体生长,更改为第二温度并继续生长
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