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公开/公告号CN113465792A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-01
原文格式PDF
申请/专利权人 西安交通大学;
申请/专利号CN202110674899.5
发明设计人 赵玉龙;王鲁康;赵友;杨玉;
申请日2021-06-17
分类号G01L1/18(20060101);G01L9/06(20060101);B81B7/02(20060101);B81C1/00(20060101);
代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;
代理人王艾华
地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号
入库时间 2023-06-19 12:46:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-05
授权
发明专利权授予
机译: 制备碳化硅膜的方法和制备碳化硅多层膜结构的方法
机译: 在层压板的配线板的制造工序中,使用树脂组合物,shima岛电镀处理底漆,sh岛电镀处理底漆及支撑体,sh岛电镀处理底漆,将层压板用于配线板,多层配线板,制造多层配线。板
机译: 压力传感器芯片压力变送器和压力传感器芯片的制造方法
机译:基于石墨烯的微尺寸压力传感器芯片 - 一种仿真方法
机译:溅射压力对Co / Ag多层膜结构和电流垂直于平面的磁传输的影响
机译:一种由多层薄膜结构设计的新型光偏振转换结构,波长为10.6μm
机译:一种电容式压力传感器,具有三个掩模工艺制造的新型多层复合膜结构
机译:复合多层膜结构,用于折射率定制和Ald高纵横比沟槽填充。
机译:使用As40S60:Mn-Se纳米复合多层结构的直接磁浮雕记录
机译:在护工的工作环境压力从急救医院:在医院急诊护士工作压力量表分析特拉瓦霍压力:工作压力量表分析山岛不是强调我trabalho达enfermagem医院弹指一挥间,索科罗:análise山岛工作压力量表
机译:离子化和非电离辐射对压阻式压力传感器芯片的总剂量效应。