一种改善GaInP薄膜组分均匀性的方法

摘要

本发明提供一种改善GaInP薄膜组分均匀性的方法，清洗砷化镓GaAs衬底：将砷化镓GaAs衬底放在位于第六温区的旋转托盘上；将Ga舟和In舟所在的第三温区升温至800℃，此温区为1区，将GaCl、InCl和PH3反应生成GaInP的温区升温至660℃，此温区为2区，压力保持为8000Pa，通高纯H2去除衬底表面杂质；同时向Ga舟和In舟所在的石英腔内通HCl，在1区生成GaCl和InCl；接着通1min、200sccm的PH3，在2区生成镓铟磷GaInP后关闭PH3和HCl；通N2，清除残余反应气体；重复上述操作步骤d、e、f共10次，取出样品。最终形成组分均匀且厚度适中的GaInP外延薄膜。