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一种用于高速模数转换器烧录OTP的电源开关

摘要

本发明公开一种用于高速模数转换器烧录OTP的电源开关,属于电源开关领域,包括NMOS管M1和M2、PMOS管M3、电阻R1‑R5、缓冲器I1和反相器I2;NMOS管M1的源极接NMOS管M2的漏极,NMOS管M1的漏极接PMOS管M3的栅极;NMOS管M2的栅极接反相器I2的输出端,NMOS管M2的源极接公共地DVSS;PMOS管M3的栅极接电阻R5的第一端,源极接电阻R3的第一端,漏极通过电阻R4接工作电压DVDD;电阻R3的第二端和电阻R5的第二端均接烧录电压VPP。电阻R1和电阻R2串联,缓冲器I1的输入端接在电阻R1和电阻R2之间,缓冲器I1的输出端接反相器I2的输入端;电阻R1的第一端接烧录电压VPP,第二端接电阻R2的第一端,电阻R2的第二端接公共地DVSS。

著录项

  • 公开/公告号CN113472328A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 广东芯炽集成电路技术有限公司;

    申请/专利号CN202111036350.X

  • 发明设计人 吴旭凡;董业民;

    申请日2021-09-06

  • 分类号H03K17/081(20060101);H03K17/687(20060101);

  • 代理机构32340 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人杨立秋

  • 地址 510000 广东省广州市黄埔区(中新广州知识城)亿创街1号406房之552

  • 入库时间 2023-06-19 12:46:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-26

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H03K17/081 专利号:ZL202111036350X 变更事项:专利权人 变更前:广东芯炽集成电路技术有限公司 变更后:上海芯炽科技集团有限公司 变更事项:地址 变更前:510000 广东省广州市黄埔区(中新广州知识城)亿创街1号406房之552 变更后:200000 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

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