一种基于III-V族化合物半导体工艺的宽带有源移相器

摘要

本发明提供一种基于III‑V族化合物半导体工艺的宽带有源移相器，属于集成电路技术领域。该移相器提出偏置运算单元以解决III‑V族化合物半导体工艺无法应用经典移相器结构的问题，即吉尔伯特偏置运算单元通过CCVS单元将I/Q两路电流转换成晶体管基极电压，再通过VCCS单元控制晶体管作差运算转换得到数控电流叠加单元输出的I/Q电流比值关系，最后偏置电流控制单元完成对I/Q正交信号合成矢量的象限选择及模拟加法器的电流控制，实现了吉尔伯特单元尾电流的精准调控；并同时提出有源跨导‑结电容多相滤波(gm‑Cbc PPF)结构增强移相器的带宽，最终可实现n bit的相位精度控制，且具有移相精度高、插入损耗低、面积小、工作带宽大且可调等优势。