公开/公告号CN113433443A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-24
原文格式PDF
申请/专利权人 吉林瑞能半导体有限公司;
申请/专利号CN202011245124.8
申请日2020-11-10
分类号G01R31/26(20140101);
代理机构22216 吉林新发惠利知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人纪尚
地址 132013 吉林省吉林市高新区深圳街99号
入库时间 2023-06-19 12:42:10
机译: 正向压降低的高功率碳化硅(SiC)PiN二极管
机译: 具有MOSFET串联连接的电池充电电路和配置为反向阻断二极管且增强型JFET的正向压降低
机译: 具有MOSFET串联连接和增强模式JFET的电池充电电路,其配置为具有低正向压降的反向阻断二极管