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一种n型PbTe基热电器件接头及其制备方法

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摘要

本发明提供了一种n型PbTe基热电器件接头及其制备方法，该热电器件接头包括相互连接的n型PbTe基热电材料和接触层，所述接触层材料为Fe1‑xSbx，其中x满足0.1

公开/公告号CN113437207A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-24

原文格式PDF
申请/专利权人哈尔滨工业大学(深圳);
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申请/专利号CN202110728809.6
发明设计人张倩;尹力;孙羽;曹峰;毛俊;
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申请日2021-06-29
分类号H01L35/18(20060101);H01L35/34(20060101);H01L35/08(20060101);H01L35/10(20060101);
代理机构44451 深圳市添源知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人张西红
地址 518000 广东省深圳市南山区桃源街道深圳大学城哈尔滨工业大学校区
入库时间 2023-06-19 12:42:10

1. 一种n型PbTe基热电器件接头及其制备方法 [P] . 中国专利： CN113437207A . 2021-09-24
2. 一种n型PbTe基热电材料及其制备方法 [P] . 中国专利： CN111799360A . 2020-10-20
3. Method for producing PbTe:Ni doped alloy of n-TYPE [P] . UA56812U . 2011-01-25

机译：一种n型PbTe：Ni掺杂合金的制备方法
4. Quinary Mg2Si-based n-type thermoelectric materials, methods for their preparation and thermoelectric devices using such materials [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2770069A1 . 2014-08-27

机译：五元Mg2Si基n型热电材料，其制备方法和使用这种材料的热电器件
5. PROCESS FOR PREPARATION OF PbTe OF n- AND p-TYPE ALLOYED WITH BISMUTH [P] . UA19994U . 2007-01-15

机译：铋制n型和p型合金PbTe的制备方法