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基于聚焦离子束刻蚀的加工正型结构的方法及应用

摘要

本发明提供了一种基于聚焦离子束刻蚀的加工正型结构的方法,包括以下步骤:S1,在衬底上沉积一层金属薄膜;S2,使用聚焦离子束刻蚀技术在所述金属薄膜上刻蚀负型结构,所述负型结构的底部贯通金属薄膜;S3,再在所述金属薄膜的上表面沉积黏附层,然后在所述黏附层上沉积二次沉积材料,同时保证在所述负型结构内填充所述黏附层和二次沉积材料;S4,在所述二次沉积材料的上表面黏附透明胶带,所述透明胶带对所述二次沉积材料的上表面进行全覆盖并露出至少一个边沿;S5,通过露出的边沿,将所述衬底上的金属薄膜剥离,留下所述负型结构内的黏附层和所述二次沉积材料黏附在所述衬底上,即在所述衬底上形成正型结构。该方法加工效率高。

著录项

  • 公开/公告号CN113415782A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 嘉庚创新实验室;

    申请/专利号CN202110674301.2

  • 申请日2021-06-17

  • 分类号B81C1/00(20060101);B81B1/00(20060101);

  • 代理机构35101 厦门原创专利事务所(普通合伙);

  • 代理人郭金华

  • 地址 361000 福建省厦门市思明区思明南路422号亦玄馆410室

  • 入库时间 2023-06-19 12:40:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-10-27

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):B81C 1/00 专利申请号:2021106743012 申请公布日:20210921

    发明专利申请公布后的驳回

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