公开/公告号CN113421600A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-21
原文格式PDF
申请/专利权人 南京昉芯微电子有限公司;
申请/专利号CN202110552826.9
发明设计人 金大中;
申请日2021-05-20
分类号G11C11/417(20060101);
代理机构32340 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人杨立秋
地址 210000 江苏省南京市自由贸易试验区南京片区研创园团结路99号孵鹰大厦A座302室
入库时间 2023-06-19 12:38:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-08-15
授权
发明专利权授予
机译: 具有应变硅锗和III-V族半导体材料的异质CMOS集成的集成电路及其制造方法
机译: 具有应变硅锗和III-V族半导体材料的异质CMOS集成的集成电路及其制造方法
机译: 应变硅锗和Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的异质CMOS集成集成电路及其制造方法