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公开/公告号CN113421881A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-21
原文格式PDF
申请/专利权人 复旦大学;
申请/专利号CN202110577778.9
发明设计人 江安全;庄晓;柴晓杰;江钧;孙杰;张文笛;
申请日2021-05-26
分类号H01L27/11507(20170101);
代理机构31200 上海正旦专利代理有限公司;
代理人陆飞;陆尤
地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号
入库时间 2023-06-19 12:38:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-19
授权
发明专利权授予
机译: 利用氢存储金属层防止氢扩散的铁电存储器的制造方法
机译: 具有在铁电层上增加贵金属层沉积速率的材料层的方法,使用相同的制造铁电电容的方法,使用相同的铁电电容构成的,电导体的存储器装置以及包括该装置的电容器
机译:金属铁电 - 金属 - 绝缘体 - 半导体栅极堆栈结构的存储器和逻辑应用的铁电场效应晶体管设计点,使用HF_(0.5)Zr_(0.5)O_2膜
机译:使用铁电HF0.5 ZR0.5O2薄膜改善金属铁电 - 绝缘体 - 半导体电容器非易失性存储器特性的设计策略
机译:使用Al-掺杂的HFO2薄膜的金属 - 铁电 - 绝缘子 - 半导体栅极叠层的铁电场效应存储器晶体管的长期和高温保留稳定性的改进
机译:铁电氧化ha:兼容CMOS且高度可扩展的未来铁电存储器方法
机译:基于铁电Langmuir-Blodgett聚偏二氟乙烯共聚物薄膜的金属-铁电绝缘体-半导体结构的表征,用于无损随机存取存储器。
机译:夹有超薄铁电薄膜的出色低压操作柔性铁电有机晶体管非易失性存储器
机译:具有非晶氧化物半导体的金属铁电半导体非易失性存储器中的聚偏二氟乙烯-三氟乙烯的铁电转换
机译:非金属化合物中增强的表面层扩散