一种降低p型III-V族半导体材料与接触电极的比接触电阻率的方法

摘要

本发明涉及一种降低p型III‑V族半导体材料与接触电极的比接触电阻率的方法。该方法使用一组优化的参数来生长接触层，包括：使用N2、H2混合载气生长接触层；使用TMGa生长接触层；使用较高的反应腔室气压来生长接触层；在较高温度和较低In源流量的条件下生长接触层。本发明提高了接触界面的空穴浓度，使得接触电极与半导体界面的肖特基势垒变薄，电子可以通过隧穿效应穿过界面势垒，形成良好的欧姆接触，降低接触电阻，进而降低发热量，提高器件寿命。本发明对降低比接触电阻率有优异的效果，并且具有制备效率高，材料适应性更广泛的特点，从而更具有使用价值。