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公开/公告号CN113400206A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-17
原文格式PDF
申请/专利权人 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司;
申请/专利号CN202110703112.3
发明设计人 王礼华;张高亮;赵延军;钱灌文;曹剑锋;左冬华;孙冠男;
申请日2021-06-24
分类号B24D3/32(20060101);B24D3/00(20060101);B24D18/00(20060101);
代理机构41104 郑州联科专利事务所(普通合伙);
代理人杨海霞
地址 450001 河南省郑州市高新区梧桐街121号
入库时间 2023-06-19 12:38:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-19
授权
发明专利权授予
机译: 碳化硅衬底,半导体器件及其制备方法
机译:通过基本概念与非线性源术语抛抛抛抛抛抛抛抛抛抛抛抛抛光术不等式的统一规范的新误差
机译:硬件高效互换使用二阶抛抛抛抛抛抛抛抛抛光合成和平方缩放法
机译:新型抛砂轮降低操作成本
机译:利用宽松控制的非透散抛抛抛抛抛抛抛抛抛抛抛抛抛抛抛抛抛抛物型最优控制问题的近似方法
机译:在6H-碳化硅和15R-碳化硅衬底上生长的砷化硼外延层的缺陷结构和生长机理。
机译:碳化硅衬底上纳米级厚Au / Pd双金属薄膜的形貌演化
机译:使用甲基三氯硅烷化学气相沉积在轴上碳化硅衬底上外延生长碳化硅
机译:用于GaN研究和开发的碳化硅衬底