一种氮极性面氮化镓共振隧穿二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种氮极性面氮化镓共振隧穿二极管及其制作方法，主要解决现有氮极性面氮化镓共振隧穿二极管材料生长极性控制难度大、位错密度高，器件自热效应及微分负阻效应稳定性和重复性退化问题。其自下而上包括金刚石衬底、SiN过渡层、GaN支撑层、n+GaN集电极欧姆接触层、第一GaN隔离层、第一势垒层、GaN量子阱层、第二势垒层、第二GaN隔离层、n+GaN发射极欧姆接触层和发射极电极，第一GaN隔离层两侧设有环形集电极电极，第一GaN隔离层到发射极电极的外部包裹有钝化层。本发明器件材料质量高，器件可靠性和稳定性高，能改善器件自热效应并降低器件剥离转移工艺难度，可用于高频太赫兹辐射源和高速数字电路。