公开/公告号CN113391762A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-14
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN202110203755.1
申请日2021-02-23
分类号G06F3/06(20060101);
代理机构11286 北京铭硕知识产权代理有限公司;
代理人尹淑梅;刘灿强
地址 韩国京畿道水原市
入库时间 2023-06-19 12:35:33
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-21
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 3/06 专利申请号:2021102037551 申请日:20210223
实质审查的生效
机译: 半导体存储装置,包括该存储装置的存储系统以及调整内部时钟和命令之间的时序的方法
机译: 半导体存储装置及该半导体存储装置的命令输入方法
机译: 能够响应于设置特征命令来设置NAND闪存的内部状态的半导体存储装置