大尺寸芯片及其制作方法、大尺寸芯片晶圆

摘要

本发明提供一种大尺寸芯片及其制作方法、大尺寸芯片晶圆。制作方法包括：提供一晶圆，晶圆包括若干大尺寸芯片，大尺寸芯片的大小大于光刻机的最大曝光视场；大尺寸芯片包括至少两个拼接芯片；拼接芯片包括衬底和第一金属层，第一金属层至少包括用于不同拼接芯片之间互连的待互连金属层；形成第二金属层，第二金属层至少包括片间互连金属层，片间互连金属层跨越相邻的拼接芯片之间的虚拟划片区，且分别与相邻的拼接芯片各自的待互连金属层电连接。本发明在大尺寸芯片上实现不同的拼接芯片之间的互连，小的拼接芯片通过互连功能拓展，实现大尺寸芯片级的电信号互连优化，以实现更多的功能整合，更具灵活性和兼容特性。