深槽的填充方法及深槽的填充结构

摘要

本发明涉及一种深槽的填充方法及深槽的填充结构。上述深槽的填充方法包括如下步骤：提供具有至少一深槽的半导体衬底，深槽的深宽比小于或等于40；将绝缘件置于半导体衬底上，且绝缘件遮蔽深槽的开口，绝缘件的材质为聚合物材料；对绝缘件进行加热，使绝缘件呈液态；在真空条件下，对绝缘件加压，使液态的绝缘件填充于深槽内，然后固化，在深槽内形成绝缘层。上述深槽的填充方法在深槽内填充绝缘层仅需要几分钟至十几分钟，较传统的化学气相沉积的方法(需要几十个小时)大大节省了沉积时间，提高了生产效率。且以聚合物材料为绝缘件的材料，较传统的以二氧化硅为绝缘层，介电常数相差不大，甚至部分高于二氧化硅，绝缘性好。