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一种PDMS微流控芯片上半球腔制备工艺

摘要

一种PDMS微流控芯片上半球腔制备工艺,包括如下步骤:S1、将含PDMS与固化剂的第一混合液倒在硅片上并予以保持;S2、将球形阳模放在硅片上的设定位置;S3、将第一混合液固化成型为PDMS模具,PDMS模具具有通过球形阳模形成的半球腔;S4、将PDMS模具从硅片上取下,并将球形阳模放入PDMS模具的半球腔,其中,PDMS模具上的除半球腔之外的区域覆盖隔离层;S5、将含PDMS与固化剂的第二混合液倒在PDMS模具上并予以保持;S6、将第二混合液固化成型为具有上半球腔的PDMS微流控芯片,随后将PDMS微流控芯片与PDMS模具分离。所制备的PDMS微流控芯片的上半球腔能够实现光的聚集,特别适用于某些微弱光信号的捕捉及检测的场景,例如实时荧光核酸扩增检测等应用。

著录项

  • 公开/公告号CN113351269A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学深圳国际研究生院;

    申请/专利号CN202110710981.9

  • 申请日2021-06-25

  • 分类号B01L3/00(20060101);

  • 代理机构44223 深圳新创友知识产权代理有限公司;

  • 代理人王震宇

  • 地址 518055 广东省深圳市南山区西丽街道深圳大学城清华校区A栋二楼

  • 入库时间 2023-06-19 12:30:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-11

    授权

    发明专利权授予

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