法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-15
著录事项变更 IPC(主分类):G05F 1/56 专利申请号:2021108349434 变更事项:申请人 变更前:成都华微电子科技有限公司 变更后:成都华微电子科技股份有限公司 变更事项:地址 变更前:610000 四川省成都市高新区益州大道中段1800号1栋22层 变更后:610041 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区益州大道中段1800号1栋22-23层2201、2301号
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机译: 具有低闪烁噪声的CMOS带隙基准源电路
机译: 低闪烁噪声的CMOS带隙基准源电路
机译: 低电源电压带隙基准电路及其负温度系数电流生成单元以及提供带隙基准电流的方法