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带隙基准电路和低失调高电源抑制比带隙基准源

摘要

带隙基准电路和低失调高电源抑制比带隙基准源,涉及集成电路技术,本发明的带隙基准电路包括:第十六MOS管,其栅端接第五参考点,电流输入端接高电平,电流输出端接第十七MOS管的电流输入端;第十七MOS管,其栅端接第四参考点,电流输出端接基准输出端;第三三极管,其电流输入端接基准输出端,电流输出端接地,基极接第六参考点,基极和电流输入端之间通过一个电容连接;第二三极管,其电流输入端通过第二电阻接基准输出端,基极作为第七参考点连接电流输入端,其电流输出端接地;第一三极管,其电流输入端接第六参考点,基极接第七参考点,电流输出端通过第一电阻接地。本发明能够在宽电源范围内工作,并且具备很高的电源抑制比。

著录项

  • 公开/公告号CN113359929A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成都华微电子科技有限公司;

    申请/专利号CN202110834943.4

  • 申请日2021-07-23

  • 分类号G05F1/56(20060101);

  • 代理机构51215 成都惠迪专利事务所(普通合伙);

  • 代理人刘勋

  • 地址 610000 四川省成都市高新区益州大道中段1800号1栋22层

  • 入库时间 2023-06-19 12:29:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-15

    著录事项变更 IPC(主分类):G05F 1/56 专利申请号:2021108349434 变更事项:申请人 变更前:成都华微电子科技有限公司 变更后:成都华微电子科技股份有限公司 变更事项:地址 变更前:610000 四川省成都市高新区益州大道中段1800号1栋22层 变更后:610041 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区益州大道中段1800号1栋22-23层2201、2301号

    著录事项变更

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