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公开/公告号CN113363325A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-07
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN202011552566.7
发明设计人 T·特里维迪;R·拉马斯瓦米;J·D·金;B·法拉哈扎德;张旭佑;T·常;N·尼迪;W·M·哈菲兹;
申请日2020-12-24
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/423(20060101);B82Y40/00(20110101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人邬少俊
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2023-06-19 12:29:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 专利申请号:2020115525667 申请日:20201224
实质审查的生效
机译: 门 - 全面集成电路结构具有应变双纳米孔沟道结构
机译: 具有全圆闸栅极的集成电路结构,带翅片叠层绝缘
机译: 门 - 全围绕栅极介电层的应变源或漏极结构的全面集成电路结构
机译:具有双材料栅极结构的增强型基于GaN的无结垂直环绕栅晶体管,适用于高频应用
机译:高性能InP / InGaAs共集成的变质异质结构双极和场效应晶体管,具有伪晶基发射极隔离层和沟道层
机译:具有全沟道结构和功能流体集成电路的形成技术的硅气动微动画
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:凹入式栅极结构对具有薄AlOxNy MIS栅极的AlGaN / GaN-on-SiC MIS-HEMT的影响
机译:采用具有不对称沟道宽度的10-nm双栅极环绕(DGaa)晶体管的最佳逆变器逻辑门
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)