法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-04-14
授权
发明专利权授予
机译: 使用指示至少一种尖端到尖端的短路或泄漏,至少一种尖端到一侧的短路或泄漏以及至少一种倒角短路或泄漏的非接触电测量来处理半导体晶片的方法,其中这种测量从与各个尖端到尖端的短路,尖端到一侧的短路和倒角短路测试区域相关的非接触焊盘获得
机译: 使用指示至少一种尖端到尖端的短路或泄漏,至少一种尖端到一侧的短路或泄漏,以及至少一侧到另一侧的短路或泄漏的非接触电测量来处理半导体晶片的方法,其中使用具有带束偏转功能的带电粒子束检查器从带尖端到尖端短,尖端到侧面短测试和侧面到侧面短测试区域的单元中获得此类测量结果阶段
机译: 使用非接触电测量来处理半导体晶片的方法,所述非接触电测量指示至少一个侧面到另一个短路或泄漏,至少一个通孔倒角或泄漏以及至少一个拐角短路或泄漏,其中获得了这样的测量使用带束偏转的带电粒子束检查器从具有左右对边短路,倒角短路和拐角短路测试区域的单元中取出,以考虑平台的运动