一种ZnSe基底10.3-10.9μm高强减反膜及镀制方法

摘要

本发明涉及红外光学镀膜技术领域，提供一种ZnSe基底10.3‑10.9μm高强减反膜，膜系结构为G/100L1010H901L10H933L10H/A；本申请还提供了一种ZnSe基底10.3‑10.9μm高强减反膜的镀制方法，采用APS离子源高能量辅助和基底加热镀膜的方式。本申请的有益效果为：ZnSe基底两面镀制本申请的高强减反射膜后，10.3μm～10.9μm平均透过率达到99％以上；并且满足JB/T 8226.1‑1999光学零件镀膜标准中对抗磨强度、恒定湿热、低温、盐雾环境试验的要求。