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基于硅基BJT工艺的射频差分放大器及其增益温度稳定性的提升方法

摘要

本发明提供了一种基于硅基BJT工艺的射频差分放大器及其增益温度稳定性的提升方法,其包括相互连接的差分放大电路和偏置网络,偏置网络为差分放大电路提供具有正温度系数的偏置电压,对差分放大电路的尾电流进行温度补偿,使得具有正温度系数的尾电流与温度同步变化,从而能抵消温度变化对电压增益的影响,提高电压增益的温度稳定性;同时,电压增益几乎不依赖于外界的供电电压,电压增益在供电电压变化时保持稳定,该设计适合低电压环境,对应功耗低;此外,基于BJT工艺进行设计,对输入差分信号的选择带宽较大,满足5V及以下射频系统中低功耗宽带应用需求,特别适用于对数放大器的核心电路部分,对提高对数放大器的对数精度具有比较好的作用。

著录项

  • 公开/公告号CN113346846A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202110680205.9

  • 申请日2021-06-18

  • 分类号H03F1/30(20060101);H03F3/45(20060101);

  • 代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);

  • 代理人李铁

  • 地址 400060 重庆市南岸区南坪花园路14号

  • 入库时间 2023-06-19 12:25:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-24

    授权

    发明专利权授予

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