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公开/公告号CN113346846A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-03
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第二十四研究所;
申请/专利号CN202110680205.9
发明设计人 庞佑兵;刘登学;李伟东;杨帆;杨超;
申请日2021-06-18
分类号H03F1/30(20060101);H03F3/45(20060101);
代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);
代理人李铁
地址 400060 重庆市南岸区南坪花园路14号
入库时间 2023-06-19 12:25:57
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-24
授权
发明专利权授予
机译: 使用四端子双绝缘栅场晶体管的CMOS放大器,多输入CMOS放大器,高增益多输入CMOS放大器,高增益高稳定性多输入CMOS放大器和使用该放大器的多输入CMOS差分放大器
机译: 基于BJT的ESD保护结构,具有改善的电流稳定性
机译: 带有控制晶体管的HF增益控制电路-改变施加到差分放大器的偏置以提供稳定性
机译:具有55nm CMOS工艺动态电流增益补偿的,基于BJT的未修剪温度传感器
机译:新型4H-SiC BJT,利用基极中的浮动掩埋层实现高电流增益,高电流增益稳定性和高击穿电压
机译:固定增益CMOS差分放大器,在宽温度范围内无外部反馈
机译:使用有源反馈的射频频率增益提升方法及其在射频可变增益放大器(VGA)中的应用
机译:一种基于温度的精确辐射测量增益校准技术。
机译:一种新的基于HAC的信号增益定量分析方法的开发用于测量癌细胞中的染色体不稳定性(CIN)
机译:使用双栅极a-IGZO TFT的第二栅极提升差分放大器的增益
机译:增益提升Opamp的基于补偿的优化方法