公开/公告号CN113307332A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-27
原文格式PDF
申请/专利权人 北京工业大学;
申请/专利号CN202110502796.0
申请日2021-05-10
分类号C02F1/461(20060101);C02F1/72(20060101);D06M11/38(20060101);D06M11/13(20060101);D06N3/00(20060101);D06N3/04(20060101);C02F103/06(20060101);D06M101/40(20060101);
代理机构11203 北京思海天达知识产权代理有限公司;
代理人刘萍
地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号
入库时间 2023-06-19 12:22:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-16
授权
发明专利权授予
机译: 离子导电介质,用于电活性金属阴极保护的系统以及其应用方法和特征。
机译: 用于半导体生产中的相变技术的非易失性存储单元包括一种化合物,该化合物具有通过两个电极接触的层,该电极具有电活性层
机译: 基于硫的阴极活性材料,用于固态电池,其制备方法和应用