公开/公告号CN113308673A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-27
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳市新邦薄膜科技有限公司;
申请/专利号CN202110456659.8
发明设计人 李亦龙;
申请日2021-04-26
分类号C23C14/35(20060101);C23C14/08(20060101);C23C14/10(20060101);C23C14/14(20060101);C23C14/54(20060101);C23C14/56(20060101);
代理机构44733 深圳市国亨知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人李夏宏
地址 518000 广东省深圳市光明区马田街道马山头社区钟表基地森丰大厦501
入库时间 2023-06-19 12:22:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-01-28
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/35 专利申请号:2021104566598 申请日:20210426
实质审查的生效
机译: 在真空状态下的光学薄膜内部的膜状零反应性直流磁控溅射装置用于高级真空
机译: 一种磁控溅射制备铁电薄膜的方法及铁电薄膜
机译: 可以将两种模式的磁通量分布(平衡模式/不平衡模式)从一种切换到另一种的磁控溅射装置,以及一种使用该装置由无机成膜材料形成膜的成膜方法,以及一种双模式磁控溅射装置及成膜方法,使用该装置由无机成膜材料在低温下成膜