位线接触结构及其形成方法、半导体结构和半导体器件

摘要

本公开涉及一种位线接触结构及其形成方法、半导体结构和半导体器件，包括：提供基底；基底包括衬底、在衬底中间隔排布的浅沟槽隔离结构及并排分布于衬底中的多个字线结构，且字线结构的顶部均设置有第一钝化层；在第一钝化层表面形成掩膜层，并对掩膜层进行刻蚀，以多个第一掩膜块，相邻两个第一掩膜块之间均具有第一开口，且第一开口的横向尺寸沿第一方向逐渐减少；利用第一掩膜块对衬底和字线结构进行刻蚀，以在基底中形成位线接触孔，位线接触孔的横向尺寸沿第一方向逐渐减少；在位线接触孔内沉积第一导电层，以形成位线接触结构；所述第一方向由掩膜层指向第一钝化层。通过形成方法形成的位线接触结构，可以防止在位线接触孔中形成空洞。