有机半导体器件的接触结构的制作方法以及有机半导体器件的接触结构

摘要

本发明提供一种电特性优异的有机半导体器件的接触结构的制作方法以及有机半导体器件的接触结构。在有机半导体层（3）上形成接触时，首先形成容易被氧化的金属的、例如数nm以下的非常薄的膜，以此作为电荷注入层（4）。再用不易被氧化的金属等的导电体在电荷注入层（4）上形成电流供给层（5）。可通过使用简易的工序和廉价的材料来降低有机半导体器件的接触电阻。